蓉矽半導體是一家功率器件原廠，作為原廠在碳中和中往往要扮演好兩個角色——一個是自身生產運營中的降碳，另一個更重要，是用自己的產品去助力其他企業、行業實現節能降碳。在高巍看來，碳化硅這類寬禁帶半導體器件具有高壓、高導熱以及高頻等物理特性，已經在新能源相關行業中被廣泛應用，對節能減排起到非常大作用的同時，也對實現 “雙碳”有著重要意義。以1500V儲能系統為例，如果采用2000V碳化硅器件可以帶來整體效率提升、體積縮小以及節能帶來等效果。

 

蓉矽半導體副總經理 高巍

 

不過高巍同時表示，碳化硅對“雙碳”的意義要從制造和應用兩個角度分析，雖然碳化硅器件在光伏、儲能、新能源汽車中的應用能帶來很好的減排效果，但制造的流程本身是一個耗能環節。蓉矽半導體選址成都，是因為成都是中國最大的水電供給地，他透露公司未來發展規劃中，“是有晶圓制造想法的，在成都采用綠電的方式制造功率半導體器件，帶來的節能減排效果會非常明顯。”

 

既然碳化硅器件對“雙碳”意義重大，那么中國國產碳化硅器件目前處于什么水平呢？高巍舉了一個例子，目前蓉矽量產的是第一代1200V SiC MOSFET，第二代產品在去年完成全部設計時，性能已經超越美國一家知名碳化硅企業。“當時非常開心，但只有不到一個月的時間，另外一家美國公司推出了他最新一代的產品，把我們按在地上摩擦了一通。”他感嘆道，“我們在不停追趕先進對手的同時，對手也在不停地發展。”

 

從蓉矽碳化硅產品性能與國外大型公司對比來看，高巍認為至少差一到兩代的水平。能不能趕上呢？他覺得要換一套思路——中國的功率半導體廠商大多數延續了一種“逆向追趕”的習慣，比如說某家國外巨頭推出了一款優秀產品，中國的設計公司就會追逐這類設計、去做這種產品。如此一來始終是跟在人家后面追趕。“換一種思路，按照功率半導體的發展邏輯，從應用需求出發做設計，沿著自己的發展路線走。只有正向的思維和設計，與應用場景緊密結合，才有機會跟國際大廠競爭。”

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